Запорожец  Издания 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 [ 54 ] 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100

ствует переходу основных носителей заряда из одной области в другую.

Кривая, показывающая зависимость тока р-п перехода от прямого t/np и обратного t/обр напряжений, называется вольт-амперной характеристикой полупроводникового диода (рис. 122).

Прямой ток /пр в десятки и даже сотни миллиампер можно получить при прямом напряжении менее 1 в; при обратном на-

6 6 к

too 90 80 70 SO SO IB 30 20 W?

"/1

2 J

Рис. 122. Вольтамперная характеристика диода

Пряжении в десятки вольт обратный ток /обр составляет доли миллиампера, т. е. /?обр значительно больще (» /?пр- Чрезмерное увеличение обратного напряжения приводит к резкому увеличению обратного тока и пробою р-п перехода.

§ 50. Полупроводниковые триоды (транзисторы]

Полупроводниковым триодом, или транзистором, называется прибор с тремя выводами, предназначенный для усиления и генерирования электрических колебаний. Транзисторы успешно заменяют лампы с управляющими сетками, но в отличие от них работают с токами в цепи управляющего электрода.

Виды транзисторов. Основной частью каждого транзистора, как и полупроводникового диода, является пластина германия или кремния. Соответственно транзисторы называются германиевыми или кремниевыми.

По частотным свойствам транзисторы разделяют на четыре группы:



низкочастотные -с предельной частотой усиления по току до 3 Мгц;

среднечастотные - с предельной частотой до 30 Мгц; высокочастотные - с предельной частотой до 120 Мгц; сверхвысокочастотные -с предельной частотой свыше 120 Мгц.

Транзисторы, которые обладают мощностью рассеяния до 0,3 вт, называются маломощными, до 1,5 вт - средней мощности, свыше 1,5 вт - большой мощности.

По конструкции транзисторы делят на точечные и плоскостные (рис. 123).


Рис. 123. Транзисторы:

ч - точечный, б - плоскостные маломощные, в - плоскостные средней и большой мощности; / - база, 2 -коллектор, 3 - эмиттер, 4 - оранжевая точка, 5 - металлический корпус


Рис. 124. Схема устройства точечного транзистора;

I - вывод базы, 2 - зона р, 3 - германий п-ти-па

Точечные транзисторы представляют собой кристалл германия или кремния, к поверхности которого прижаты или приварены острия двух игл из фосфористой бронзы (рис. 124). Кристалл германия или кремния называется базой транзистора Б, а металлические иглы - соответственно эмиттером Э и коллектором К.

Физические процессы, происходящие в точечных и плоскостных транзисторах, аналогичны. В связи с тем что точечные транзисторы почти не применяются, в дальнейшем основные процессы рассматриваются на примере плоскостных транзисторов.

Плоскостные транзисторы распространены в разнообразной радиотехнической аппаратуре. Чтобы получить плоскостной транзистор, в кристалл германия или кремния вплавляют с двух сторон капли индия (рис. 125). Кристалл является базой, а капли индия - эмиттером и коллектором. Обычно коллектор имеет



большие размеры, так как в коллекторной цепи выделяется большая мощность.

Схема устройства транзистора. Как видно из схемы, изображенной на рис. 126, плоскостной транзистор имеет два р-п пере-


Рис. 125. Устройство плоскостного транзистора:

а -схема, б - разрез; / - кристаллодержа-тель, 2 - эмиттер, 3 - коллектор, •* - кристалл германия, 5 - стеклянный изолятор, 6 - внутренний вывод эмиттера, 7 - внутренний вывод коллектора, 8 - колпачок


3 а)

Рис. 126. Транзистор типа р-п-р:

1 - принцип устройства, б - условное обозначение

хода И аналогичен двум полупроводниковым диодам, смонтированным на общем основании. Транзисторы, в которых средняя зона обладает электронной электропроводностью, называются


Рис. 127. Аналогия назначения электродов транзистора и лампового триода


Э а)

Рис. 128. Транзистор типа п-р-п:

а - принцип устройства, б - условное обозначение

транзисторами типа р-п-р. Крайние зоны транзистора должны иметь электропроводность одинакового типа.

Между электродами полупроводникового и лампового триодов существует аналогия. База транзистора играет роль управляющей сетки, эмиттер - катода, коллектор - анода (рис. 127). В цепь база - эмиттер подводятся электрические колебания ма-



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 [ 54 ] 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100