Запорожец  Издания 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 [ 162 ] 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193

Объемный заряд в области базы создается электронами, проходящими через нее, и определяется выражением Qs (act) = = / Uti где tr - время пролета электронов через базу от эмит-тера к коллектору. Это время очень мало, как правило, от 30

Эмиттер 0-

Коллектор п

База р „.

Переход змиттер Переход коллек-база от/<рыт шар-база закрыт


Рис. 7,9. Работа транзистора в активном режиме.

ДО 100 пс. Наряду с этим существует небольшой объемный заряд в области эмиттера, связанный с инжекцией дырок из базы в эмит-1ер вследствие смещения в прямом направлении перехода эмиттер база. По сравнению с током электронов в обратном направлении ток инжекции этих дырок очень мал, поскольку сильно отличаются уровни легирования эмиттера и базы р перехода оаза--эмиттер Сильное легирование области эмиттера приводит Юму, что время жизни инжектированных дырок очень мало, "Оэтому невелик результирующий объемный заряд в области "ггега Qe



Когда транзистор попадает в область насыщения, оба пере-хода смещаются в прямом направлении, поэтому коллектор будет не только принимать поступающие в него электроны, но и инжектировать электроны обратно в базу. Большинство этих электро.

База

Smu/t riep -4- -

-в -

-<i)

G>-------

Переход змиттер-Заза открыт

-0 Коллектор - -

Пере код коллектор-

база открыт


Змиттер

Рис. 7.10. Работа транзистора в режиме насыщения.

нов после прохоледения через базу поступает на эмиттер, где накапливается не только основная часть электронов, инжектируемых коллектором, но еще и часть электронов, инжектированных в базу самим эмиттером (рис. 7.10).

Когда транзистор находится в состоянии глубокого насыщения, оба перехода, и эмиттер-база и коллектор-база, сильно смещены в прямом направлении, что приводит к большому току «лектро-нов через базу в обоих направлениях. В результате облагть базы будет буквально переполнена электронами и объемный зяряД области базы будет очень большим по сравнению с зарядом в активном режиме.



В то же время происходит значительная инжекция дырок из базы в коллектор. Большой ток инжекции дырок в коллектор является следствием гораздо меньшей степени легирования области коллектора по сравнению с областью базы. Если переход коллек-удр база смещен в прямом направлении больше чем на 0,5 В,


Рнс. 7.11, Характеристика выключения транзистора.

ТО потоки электронов из коллектора в базу и дырок из базы в коллектор будут очень велики. Большой ток инжекции дырок в область коллектора и относительно продолжительное время жизни Дьфок создают значительный объемный заряд.

Суммарный объемный заряд транзистора в режиме насыщения Определяется выражением Qs(sat)= Qb + Qe + Qc- Уже отмечалось, что заряд Qe очень мал. Вследствие очень малой ширины базы (~0,3-1,0 мкм) и в результате очень небольшого времени пролета носителей через базу основной составляющей суммар-



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 [ 162 ] 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193